IRF8734PBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF8734PBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 627 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRF8734PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF8734PBF даташит
irf8734pbf.pdf
PD - 96226 IRF8734PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l Synchronous MOSFET for Notebook 3.5m @VGS = 10V 30V 20nC Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Charge 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Volt
auirf8736m2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete
irf8736pbf-1.pdf
IRF8736PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V A A 1 8 S D RDS(on) max 4.8 m 2 7 (@V = 10V) GS S D Qg (typical) 17 nC 3 6 S D ID 4 5 18 A G D (@T = 25 C) A SO-8 Top View Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Pack
auirf8739l2tr.pdf
AUIRF8739L2TR AUTOMOTIVE GRADE Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 0.35m other Heavy Load Applications max. 0.6m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 545A Low Parasitic Parameters Qg 375n
Другие IGBT... IRF8707PBF, IRF8707PBF-1, IRF8714GPBF, IRF8714PBF, IRF8714PBF-1, IRF8721GPBF, IRF8721PBF, IRF8721PBF-1, IRF830, IRF8736PBF, IRF8736PBF-1, IRF8788PBF, IRF8788PBF-1, IRF8852PBF, IRF8910GPBF, IRF8910PBF-1, IRF9130SMD
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: FDD8444
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики








