IRF8736PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8736PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 449 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0048 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF8736PBF
IRF8736PBF Datasheet (PDF)
irf8736pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97120IRF8736PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook4.8m @VGS = 10V30V 17nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage
irf8736pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97120IRF8736PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQg Typ.l Synchronous MOSFET for Notebook4.8m @VGS = 10V30V 17nCProcessor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S D2 7Benefits S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6S Dl Low Gate Charge4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltage
irf8736pbf-1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRF8736PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 4.8 m2 7(@V = 10V)GS S DQg (typical) 17 nC3 6S DID 4 518 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Synchronous MOSFET for Notebook Processor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Pack
auirf8736m2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete
auirf8736m2tr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF8736M2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 1.3m other Heavy Load Applications max. 1.9m Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density ID (Silicon Limited) 137A Low Parasitic Paramete
irf8736tr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRF8736TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.004 at VGS = 10 V 1830 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous0.005 at VGS = 4.5 V 16Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .