Справочник MOSFET. SSH3N90

 

SSH3N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSH3N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 75 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для SSH3N90

 

 

SSH3N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  semelab
ssh3n90.pdf

SSH3N90 SSH3N90

 9.1. Size:305K  1
ssh3n70 ssp3n70.pdf

SSH3N90 SSH3N90

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top