SSH4N55 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH4N55  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH4N55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH4N55 даташит

 ..1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

SSH4N55

 ..2. Size:441K  semelab
 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

SSH4N55

SSH4N55 PCB 24

 9.1. Size:165K  fairchild semi
 ssh4n90.pdf pdf_icon

SSH4N55

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:211K  samsung
 ssh4n80as.pdf pdf_icon

SSH4N55

SSH4N80AS Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 2. (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9510SPBF, IRF9520NLPBF, IRF9520S, IRF9520SPBF, IRF9530-220M, SSH10N80, SSH11N90, SSH3N90, 2SK3878, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08, SSH6N80, SSH8N70, SSH8N80