Справочник MOSFET. SSH4N80

 

SSH4N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH4N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH4N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  semelab
 ssh4n80.pdf pdf_icon

SSH4N80

 0.1. Size:211K  samsung
 ssh4n80as.pdf pdf_icon

SSH4N80

SSH4N80ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2. (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charac

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

SSH4N80

 9.2. Size:165K  fairchild semi
 ssh4n90.pdf pdf_icon

SSH4N80

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BL10N40-P | FKD3006 | IRF7807VTRPBF-1 | FQT7N10LTF | FK14SM-9 | FHD5N65B | MTB23P06VT4

 

 
Back to Top

 


 
.