SSH6N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH6N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH6N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH6N80 даташит

 ..1. Size:272K  semelab
 ssh6n80.pdf pdf_icon

SSH6N80

 0.1. Size:931K  samsung
 ssh6n80as.pdf pdf_icon

SSH6N80

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.472 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:307K  1
 ssh6n55 ssh6n60.pdf pdf_icon

SSH6N80

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.2. Size:946K  samsung
 ssh6n90a.pdf pdf_icon

SSH6N80

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.829 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSH11N90, SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08, AO3401, SSH8N70, SSH8N80, SSI2N60B, SSI4N60B, SSM03N70GH, SSM03N70GJ, SSM03N70GP-H, SSM04N70BGF-A