SSI2N60B - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SSI2N60B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SSI2N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для SSI2N60B

SSI2N60B Datasheet (PDF)

..1. Size:647K fairchild semi
ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf

November 2001SSW2N60B / SSI2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

..2. Size:648K fairchild semi
ssw2n60b ssi2n60b.pdf