SSI2N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSI2N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSI2N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI2N60B даташит

 ..1. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N60B

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 ..2. Size:648K  fairchild semi
 ssw2n60b ssi2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N60B

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSI2N60B

 9.1. Size:204K  1
 ssi2n90a ssw2n90a.pdf pdf_icon

SSI2N60B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08, SSH6N80, SSH8N70, SSH8N80, 4435, SSI4N60B, SSM03N70GH, SSM03N70GJ, SSM03N70GP-H, SSM04N70BGF-A, SSM04N70BGF-H, SSM04N70BGP-A, SSM09N70GP-A