SSM3K336R - аналоги и даташиты транзистора

 

SSM3K336R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM3K336R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SSM3K336R

 

SSM3K336R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  toshiba
ssm3k336r.pdfpdf_icon

SSM3K336R

SSM3K336R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 95 m (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 m (max) (@VG

 7.1. Size:228K  toshiba
ssm3k335r.pdfpdf_icon

SSM3K336R

 7.2. Size:225K  toshiba
ssm3k339r.pdfpdf_icon

SSM3K336R

SSM3K339R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K339R SSM3K339R SSM3K339R SSM3K339R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 145 m (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A) RDS(ON) = 155

 7.3. Size:222K  toshiba
ssm3k337r.pdfpdf_icon

SSM3K336R

Другие MOSFET... SSM3310GH , SSM3310GJ , SSM3J331R , SSM3J338R , SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R , IRFB7545 , SSM3K337R , SSM3K339R , SSM3K35CTC , SSM3K56CT , SSM3K56FS , SSM3K56MFV , SSM3K59CTB , SSM3K72CTC .

 

 
Back to Top

 


 
.