SSM3K336R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM3K336R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM3K336R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K336R даташит

 ..1. Size:219K  toshiba
 ssm3k336r.pdf pdf_icon

SSM3K336R

SSM3K336R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 95 m (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 m (max) (@VG

 7.1. Size:228K  toshiba
 ssm3k335r.pdf pdf_icon

SSM3K336R

 7.2. Size:225K  toshiba
 ssm3k339r.pdf pdf_icon

SSM3K336R

SSM3K339R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K339R SSM3K339R SSM3K339R SSM3K339R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 145 m (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A) RDS(ON) = 155

 7.3. Size:222K  toshiba
 ssm3k337r.pdf pdf_icon

SSM3K336R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3310GH, SSM3310GJ, SSM3J331R, SSM3J338R, SSM3K2615R, SSM3K318R, SSM3K324R, SSM3K335R, IRFB7545, SSM3K337R, SSM3K339R, SSM3K35CTC, SSM3K56CT, SSM3K56FS, SSM3K56MFV, SSM3K59CTB, SSM3K72CTC