SSM3K35CTC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM3K35CTC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: CST3C

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM3K35CTC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3K35CTC даташит

 ..1. Size:223K  toshiba
 ssm3k35ctc.pdf pdf_icon

SSM3K35CTC

SSM3K35CTC MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K35CTC SSM3K35CTC SSM3K35CTC SSM3K35CTC 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching Analog Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.2-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 9.0 (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1

 5.1. Size:207K  toshiba
 ssm3k35ct.pdf pdf_icon

SSM3K35CTC

SSM3K35CT TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K35CT High-Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications 1.2-V drive Low ON-resistance Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 4 (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 3 (max) (@VGS = 4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 7.1. Size:223K  toshiba
 ssm3k35amfv.pdf pdf_icon

SSM3K35CTC

SSM3K35AMFV MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K35AMFV SSM3K35AMFV SSM3K35AMFV SSM3K35AMFV 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching Analog Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.2 V drive (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 9.0 (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA) RDS(ON) = 3.1 (max) (@

 7.2. Size:189K  toshiba
 ssm3k35fs.pdf pdf_icon

SSM3K35CTC

SSM3K35FS TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K35FS High-Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications 1.2-V drive Low ON-resistance Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 4 (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 3 (max) (@VGS = 4.0 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J338R, SSM3K2615R, SSM3K318R, SSM3K324R, SSM3K335R, SSM3K336R, SSM3K337R, SSM3K339R, EMB04N03H, SSM3K56CT, SSM3K56FS, SSM3K56MFV, SSM3K59CTB, SSM3K72CTC, SSM40P03GH, SSM40P03GJ, SSM40T03GH