IRLML2803. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLML2803

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для IRLML2803

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLML2803 даташит

 ..1. Size:252K  international rectifier
irlml2803pbf.pdfpdf_icon

IRLML2803

IRLML2803PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l N-Channel MOSFET G 1 l SOT-23 Footprint VDSS = 30V l Low Profile (

 ..2. Size:100K  international rectifier
irlml2803.pdfpdf_icon

IRLML2803

PD - 9.1258C IRLML2803 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology D Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET VDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (

 ..3. Size:738K  cn shikues
irlml2803.pdfpdf_icon

IRLML2803

IRLML2803 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 V ID Drain current 2.0 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARAC

 0.1. Size:221K  international rectifier
irlml2803gpbf.pdfpdf_icon

IRLML2803

PD - 96164A IRLML2803GPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l N-Channel MOSFET G 1 VDSS = 30V l SOT-23 Footprint 3 D l Low Profile (

Другие IGBT... IRLL3303, IRLM014A, IRLM110A, IRLM120A, IRLM210A, IRLM220A, IRLML2402, IRLML2502, SPP20N60C3, IRLML5103, IRLML6302, IRLML6401, IRLML6402, IRLMS1503, IRLMS1902, IRLMS2002, IRLMS4502