Справочник MOSFET. IRLML2803

 

IRLML2803 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLML2803
   Маркировка: 1B*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1(min) V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.3 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 34 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для IRLML2803

 

 

IRLML2803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  international rectifier
irlml2803pbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

PD - 94974BIRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 ..2. Size:100K  international rectifier
irlml2803.pdf

IRLML2803 IRLML2803

PD - 9.1258CIRLML2803HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFETVDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (

 ..3. Size:252K  infineon
irlml2803pbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1l SOT-23 FootprintVDSS = 30Vl Low Profile (

 ..4. Size:738K  cn shikues
irlml2803.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.0 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARAC

 0.1. Size:221K  international rectifier
irlml2803gpbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

PD - 96164AIRLML2803GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFET G 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprint3 Dl Low Profile (

 0.2. Size:241K  international rectifier
irlml2803pbf-1 irlml5103pbf-1.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max G 10.25 (@V = 10V)GSQg (typical) 3.3 nC 3 DID 1.2 AS 2(@T = 25C)AMicro3Features BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierMSL1, Industr

 0.3. Size:893K  cn vbsemi
irlml2803trpbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top