Справочник MOSFET. IRLML2803

 

IRLML2803 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLML2803
   Маркировка: 1B*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для IRLML2803

 

 

IRLML2803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  international rectifier
 irlml2803pbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

PD - 94974BIRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 ..2. Size:100K  international rectifier
 irlml2803.pdf

IRLML2803 IRLML2803

PD - 9.1258CIRLML2803HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFETVDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (

 ..3. Size:252K  infineon
 irlml2803pbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFETG 1l SOT-23 FootprintVDSS = 30Vl Low Profile (

 ..4. Size:738K  cn shikues
 irlml2803.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MOSFET(N-Channel) FEATURES TrenchFET Power MOSFET MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.0 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARAC

 0.1. Size:221K  international rectifier
 irlml2803gpbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

PD - 96164AIRLML2803GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel N-Channel MOSFET G 1VDSS = 30Vl SOT-23 Footprint3 Dl Low Profile (

 0.2. Size:241K  international rectifier
 irlml2803pbf-1 irlml5103pbf-1.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max G 10.25 (@V = 10V)GSQg (typical) 3.3 nC 3 DID 1.2 AS 2(@T = 25C)AMicro3Features BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierMSL1, Industr

 0.3. Size:893K  cn vbsemi
 irlml2803trpbf.pdf

IRLML2803 IRLML2803

IRLML2803TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HQB7N65C | 40600 | IRFD24N | 2N6659 | IRF5305 | IRCZ14

 

 
Back to Top