SSM4226GM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SSM4226GM 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SSM4226GM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSM4226GM даташит
ssm4226gm.pdf
SSM4226M/GM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple drive requirement R 18m DS(ON) D1 High V rating ID 8.2A GS G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G2 G1 ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost
ssm4224m.pdf
SSM4224M DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple drive requirement R 14m DS(ON) D1 D1 Dual N-MOSFET package ID 10A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description Advanced power MOSFETs from Silicon Standard provide the D2 D1 designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effecti
ssm4228gm.pdf
SSM4228M/GM DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETS Low on-resistance BVDSS 30V D2 D2 High Vgs rating D1 RDS(ON) 25m D1 Surface-mount package ID 6.8A G2 S2 G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G2 G1 ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
ssm4232gm.pdf
SSM4232GM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 BVDSS 30V D2 Low On-Resistance D1 D1 RDS(ON) 22m Simple Drive Requirement ID 7.8A G2 Dual N MOSFET Package S2 G1 SO-8 S1 DESCRIPTION D2 D1 The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast G2 switching, ruggedized device design, ultra
Другие IGBT... SSM3K72CTC, SSM40P03GH, SSM40P03GJ, SSM40T03GH, SSM40T03GJ, SSM40T03GP, SSM40T03GS, SSM4224M, 20N60, SSM4228GM, SSM4232GM, SSM4407GM, SSM4409GEM, SSM4410M, SSM4423GM, SSM4424GM, SSM4426GM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet
