Справочник MOSFET. SSM4232GM

 

SSM4232GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM4232GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SSM4232GM

 

 

SSM4232GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  silicon standard
 ssm4232gm.pdf

SSM4232GM SSM4232GM

SSM4232GMN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETPRODUCT SUMMARY D2BVDSS 30VD2Low On-Resistance D1D1 RDS(ON) 22mSimple Drive Requirement ID 7.8AG2Dual N MOSFET Package S2G1SO-8S1DESCRIPTION D2D1The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast G2switching, ruggedized device design, ultra

 9.1. Size:133K  silicon standard
 ssm4224m.pdf

SSM4232GM SSM4232GM

SSM4224MDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 30VD2D2Simple drive requirement R 14mDS(ON)D1D1Dual N-MOSFET package ID 10AG2S2G1SO-8S1DescriptionAdvanced power MOSFETs from Silicon Standard provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effecti

 9.2. Size:155K  silicon standard
 ssm4228gm.pdf

SSM4232GM SSM4232GM

SSM4228M/GMDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSLow on-resistance BVDSS 30VD2D2High Vgs rating D1 RDS(ON) 25mD1Surface-mount package ID 6.8AG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,G2G1ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effectiveness.

 9.3. Size:142K  silicon standard
 ssm4226gm.pdf

SSM4232GM SSM4232GM

SSM4226M/GMDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 30VD2D2D1Simple drive requirement R 18mDS(ON)D1High V rating ID 8.2AGSG2S2G1SO-8S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,G2G1ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top