IRLML6302. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLML6302

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для IRLML6302

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLML6302 даташит

 ..1. Size:300K  international rectifier
irlml6302pbf.pdfpdf_icon

IRLML6302

PD - 94947B IRLML6302PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS = -20V l SOT-23 Footprint l Low Profile (

 ..2. Size:100K  international rectifier
irlml6302.pdfpdf_icon

IRLML6302

PD - 9.1259D IRLML6302 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology D Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS = -20V SOT-23 Footprint Low Profile (

 ..3. Size:146K  tysemi
irlml6302.pdfpdf_icon

IRLML6302

Product specification IRLML6302PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS = -20V l SOT-23 Footprint l Low Profile (

 ..4. Size:273K  inchange semiconductor
irlml6302.pdfpdf_icon

IRLML6302

Isc P-Channel MOSFET Transistor IRLML6302 FEATURES With SOT-23 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage -2

Другие IGBT... IRLM110A, IRLM120A, IRLM210A, IRLM220A, IRLML2402, IRLML2502, IRLML2803, IRLML5103, K4145, IRLML6401, IRLML6402, IRLMS1503, IRLMS1902, IRLMS2002, IRLMS4502, IRLMS5703, IRLMS6702