SSM4880AGM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM4880AGM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 516 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM4880AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4880AGM даташит

 ..1. Size:240K  silicon standard
ssm4880agm.pdfpdf_icon

SSM4880AGM

SSM4880AGM N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 30V D D Fast switching, planar construction D RDS(ON) 9m D Simple drive requirement ID 13A G S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. G G S The

 9.1. Size:283K  silicon standard
ssm4800agm.pdfpdf_icon

SSM4880AGM

SSM4800AGM N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PRODUCT SUMMARY D Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID 9.4A G RoHS Compliant S S SO-8 S DESCRIPTION D The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on

 9.2. Size:155K  silicon standard
ssm4835m.pdfpdf_icon

SSM4880AGM

SSM4835M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple drive requirement BVDSS -30V D D Low on-resistance D RDS(ON) 20m D Fast switching ID -8A G S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. S The SO-8 package is widely p

 9.3. Size:372K  silicon standard
ssm4816sm.pdfpdf_icon

SSM4880AGM

SSM4816SM DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple drive requirement MOSFET-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 Suitable for DC-DC Converters R 22m DS(ON) D1 Fast switching performance ID 6.7A G2 MOSFET-2 BV 30V S2/A DSS S2/A SO-8 R 13m G1 DS(ON) Description ID 11.5A Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide D1 the designer with the best combination of fa

Другие IGBT... SSM4509M, SSM4513M, SSM4532GM, SSM4565M, SSM4575M, SSM4800AGM, SSM4816SM, SSM4835M, IRF630, SSM4920M, SSM4924GM, SSM4953M, SSM4955GM, SSM4957M, SSM5G02TU, SSM5G04TU, IRF9530NPBF