IRLMS1503. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLMS1503

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: MICRO6

Аналог (замена) для IRLMS1503

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLMS1503 даташит

 ..1. Size:150K  international rectifier
 irlms1503pbf.pdf pdf_icon

IRLMS1503

PD - 95762 IRLMS1503PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 30V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.10 Description Top View Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per

 ..2. Size:108K  international rectifier
 irlms1503.pdf pdf_icon

IRLMS1503

PD - 9.1508C IRLMS1503 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package Style VDSS = 30V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET RDS(on) = 0.10 Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged

 0.1. Size:192K  international rectifier
 irlms1503pbf-1.pdf pdf_icon

IRLMS1503

IRLMS1503PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V A 1 6 D D RDS(on) max 0.10 (@V = 10V) GS 2 5 D D RDS(on) max 0.20 (@V = 4.5V) GS 3 4 G S Qg (typical) 6.4 nC Micro6 ID Top View 3.2 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing

 8.1. Size:108K  international rectifier
 irlms1902.pdf pdf_icon

IRLMS1503

PD - 9.1540B IRLMS1902 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package Style VDSS = 20V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET RDS(on) = 0.10 Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRLM220A, IRLML2402, IRLML2502, IRLML2803, IRLML5103, IRLML6302, IRLML6401, IRLML6402, 12N60, IRLMS1902, IRLMS2002, IRLMS4502, IRLMS5703, IRLMS6702, IRLMS6802, IRLR010, IRLR014