Справочник MOSFET. IRF9952QPBF

 

IRF9952QPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9952QPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9952QPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  international rectifier
irf9952qpbf.pdfpdf_icon

IRF9952QPBF

PD - 96115IRF9952QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETl Ultra Low On-Resistance 1 8N-Ch P-ChS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 30V -30V3 6l Available in Tape & ReelS2 D2l 150C Operating Temperature4 5G2 D2l Automotive [Q101] QualifiedP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.10 0.25l Lead-FreeTop V

 6.1. Size:324K  1
auirf9952q.pdfpdf_icon

IRF9952QPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9952Q Features N-CHANNEL MOSFET Advanced Planar Technology N-CH P-CH1 8S1 D1 Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive VDSS 30V -30V3 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET 45G2 D2RDS(on) max. 0.10 0.25 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150C Operating Temperature Top ViewID 3.5A -2.3A

 7.1. Size:224K  international rectifier
irf9952pbf.pdfpdf_icon

IRF9952QPBF

PD - 95135IRF9952PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFET1 8N-Ch P-ChS1 D1l Ultra Low On-Resistance2 7l Dual N and P Channel MOSFETG1 D1l Surface Mount VDSS 30V -30V3 6S2 D2l Very Low Gate Charge and4 5G2 D2Switching LossesP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.10 0.25l Fully Avalanche RatedTop Viewl Lead-FreeRecommended upgrade:

 7.2. Size:134K  international rectifier
irf9952.pdfpdf_icon

IRF9952QPBF

PD - 9.1561AIRF9952PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE T1 8 N-Ch P-ChS1 D1 Ultra Low On-Resistance2 7 Dual N and P Channel MOSFETG1 D1 Surface Mount VDSS 30V -30V3 6S2 D2 Very Low Gate Charge and4 5G2 D2Switching LossesP -CH AN N EL M OSFETRDS(on) 0.10 0.25 Fully Avalanche RatedT op V iewRecommended upgrade:

Другие MOSFET... IRF9620SPBF , IRF9630PBF , IRF9630SPBF , IRF9640L , IRF9640LPBF , IRF9640PBF , IRF9640SPBF , IRF9910PBF-1 , P0903BDG , IRF9Z10PBF , IRF9Z14L , IRF9Z14LPBF , IRF9Z14PBF , IRF9Z14SPBF , IRF9Z20PBF , IRF9Z24L , IRF9Z24NLPBF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.