IRFAE40 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFAE40 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO3
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRFAE40
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFAE40 даташит
irfae40.pdf
PD - 90579 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAE40 800V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAE40 800V 2.0 4.8 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art de
irfae30.pdf
PD - 90614 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAE30 800V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAE30 800V 3.2 3.1 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig
irfae50.pdf
PD - 90574 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAE50 800V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAE50 800V 1.2 7.1 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig
Другие IGBT... IRF9Z34NPBF, IRF9Z34NSPBF, IRF9Z34PBF, IRF9Z34SPBF, IRFAC30, IRFAC40, IRFAC42, IRFAE30, IRF1405, IRFAE50, IRFAF30, IRFAF50, IRFAG30, IRFAG40, IRFAG50, SSM5G06FE, SSM5G09TU
History: UPA2732T1A | SSF22N50A | UPA2724T1A | AP60N02NF | DHS250N10D | UPA2713GR | PT9435
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet



