Справочник MOSFET. IRFAF50

 

IRFAF50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFAF50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   trⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRFAF50

 

 

IRFAF50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  international rectifier
 irfaf50.pdf

IRFAF50 IRFAF50

PD - 90577REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAF50900V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAF50 900V 1.6 6.2The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 9.1. Size:149K  international rectifier
 irfaf30.pdf

IRFAF50 IRFAF50

PD - 90617REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAF30900V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAF30 900V 4.0 2.0The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 9.2. Size:151K  international rectifier
 irfaf40.pdf

IRFAF50 IRFAF50

PD - 90581REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAF40900V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAF40 900V 2.5 4.3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 9.3. Size:254K  inchange semiconductor
 irfaf30.pdf

IRFAF50 IRFAF50

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFAF30FEATURESWith To-3 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 900 V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HM4885 | IRF9Z20

 

 

Back to Top