IRFAF50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFAF50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFAF50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFAF50 даташит

 ..1. Size:150K  international rectifier
 irfaf50.pdf pdf_icon

IRFAF50

PD - 90577 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAF50 900V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAF50 900V 1.6 6.2 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig

 9.1. Size:149K  international rectifier
 irfaf30.pdf pdf_icon

IRFAF50

PD - 90617 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAF30 900V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAF30 900V 4.0 2.0 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig

 9.2. Size:151K  international rectifier
 irfaf40.pdf pdf_icon

IRFAF50

PD - 90581 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAF40 900V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFAF40 900V 2.5 4.3 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig

 9.3. Size:254K  inchange semiconductor
 irfaf30.pdf pdf_icon

IRFAF50

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFAF30 FEATURES With To-3 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9Z34SPBF, IRFAC30, IRFAC40, IRFAC42, IRFAE30, IRFAE40, IRFAE50, IRFAF30, IRFZ46N, IRFAG30, IRFAG40, IRFAG50, SSM5G06FE, SSM5G09TU, SSM5G10TU, SSM5G11TU, SSM5H01TU