Справочник MOSFET. SSM5G10TU

 

SSM5G10TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM5G10TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.213 Ohm
   Тип корпуса: 2-2R1A
 

 Аналог (замена) для SSM5G10TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM5G10TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  toshiba
ssm5g10tu.pdfpdf_icon

SSM5G10TU

SSM5G10TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G10TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combines a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS(ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -20 VGate-So

 8.1. Size:200K  toshiba
ssm5g11tu.pdfpdf_icon

SSM5G10TU

SSM5G11TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G11TU DC-DC Converter Applications 4-V driveUnit: mm Combined a P-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS -30 VGate-source vol

 9.1. Size:218K  toshiba
ssm5g02tu.pdfpdf_icon

SSM5G10TU

SSM5G02TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G02TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre

 9.2. Size:290K  toshiba
ssm5g06fe.pdfpdf_icon

SSM5G10TU

SSM5G06FE Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G06FE DC-DC Converter Applications Unit: mm Combined a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. 1.60.05 Optimum for high-density mounting in small packages 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET 1 5Characteristics Symbol Rating Unit2Drain-So

Другие MOSFET... IRFAE50 , IRFAF30 , IRFAF50 , IRFAG30 , IRFAG40 , IRFAG50 , SSM5G06FE , SSM5G09TU , IRF9640 , SSM5G11TU , SSM5H01TU , SSM5H05TU , SSM5H06FE , SSM5H07TU , SSM5H08TU , SSM5H10TU , SSM5H11TU .

History: NCEP2390 | IPI12CN10NG | WMK26N60F2 | ME04N25-G | WMK80R720S | SI3403

 

 
Back to Top

 


 
.