Справочник MOSFET. SSM5G11TU

 

SSM5G11TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM5G11TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.226 Ohm
   Тип корпуса: 2-2R1A
 

 Аналог (замена) для SSM5G11TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM5G11TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  toshiba
ssm5g11tu.pdfpdf_icon

SSM5G11TU

SSM5G11TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G11TU DC-DC Converter Applications 4-V driveUnit: mm Combined a P-ch MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDSS -30 VGate-source vol

 8.1. Size:201K  toshiba
ssm5g10tu.pdfpdf_icon

SSM5G11TU

SSM5G10TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G10TU DC-DC Converter Applications 1.8-V driveUnit: mm Combines a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. Low RDS(ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings MOSFET (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -20 VGate-So

 9.1. Size:218K  toshiba
ssm5g02tu.pdfpdf_icon

SSM5G11TU

SSM5G02TU Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G02TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID -1.0 Drain curre

 9.2. Size:290K  toshiba
ssm5g06fe.pdfpdf_icon

SSM5G11TU

SSM5G06FE Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5G06FE DC-DC Converter Applications Unit: mm Combined a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. 1.60.05 Optimum for high-density mounting in small packages 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET 1 5Characteristics Symbol Rating Unit2Drain-So

Другие MOSFET... IRFAF30 , IRFAF50 , IRFAG30 , IRFAG40 , IRFAG50 , SSM5G06FE , SSM5G09TU , SSM5G10TU , 2SK3918 , SSM5H01TU , SSM5H05TU , SSM5H06FE , SSM5H07TU , SSM5H08TU , SSM5H10TU , SSM5H11TU , SSM5H12TU .

History: 50N06L-TA3-T | 50N06L-TF3-T | IRFU3410P | IRFSL7762 | R5009FNJ | FS18SM-9 | STD13N60DM2

 

 
Back to Top

 


 
.