Справочник MOSFET. SSM5H06FE

 

SSM5H06FE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM5H06FE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: 2-2P1C
 

 Аналог (замена) для SSM5H06FE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM5H06FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  toshiba
 ssm5h06fe.pdf pdf_icon

SSM5H06FE

SSM5H06FE Silicon N Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H06FE DC-DC Converter Unit: mm Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one Package 1.60.05 Small package 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating Unit 1 5Drain-Source voltage VDS 20 V 2VGSS 10 Gate-Source voltage V ID 100DC

 8.1. Size:267K  1
 ssm5h05tu.pdf pdf_icon

SSM5H06FE

SSM5H05TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H05TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one package. Low RDS (ON) and low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID 1.5Drain current A

 8.2. Size:309K  toshiba
 ssm5h07tu.pdf pdf_icon

SSM5H06FE

SSM5H07TU Silicon N Channel MOS Type (-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H07TU DC-DC Converter Unit: mm Nch MOSFET and Schottky diode combined in one package Low RDS (ON) and low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID 1.2Drain current A

 8.3. Size:205K  toshiba
 ssm5h01tu.pdf pdf_icon

SSM5H06FE

SSM5H01TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H01TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Nch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 30 VGate-Source voltage VGSS 20 VDC ID 1.4Drain current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFAG40 , IRFAG50 , SSM5G06FE , SSM5G09TU , SSM5G10TU , SSM5G11TU , SSM5H01TU , SSM5H05TU , HY1906P , SSM5H07TU , SSM5H08TU , SSM5H10TU , SSM5H11TU , SSM5H12TU , SSM5H16TU , SSM5H90ATU , SSM5P15FE .

History: NCE1570 | AMA430N

 

 
Back to Top

 


 
.