SSM6679GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6679GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 950 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SSM6679GM Datasheet (PDF)
ssm6679gm.pdf
SSM6679GMP-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DDBVDSS -30VSimple Drive Requirement DDLow On-resistance RDS(ON) 9mGFast Switching Characteristic ID -14ASSSO-8SDESCRIPTION The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. Dprovide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resist
ssm6618m.pdf
SSM6618MN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BV 25VDSSDDFast switching speed D RDS(ON) 30mDSurface-mount package ID 7AGSSSO-8SDescriptionDPower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andGcost-effectiveness.SAbsolute Maximum R
ssm6680gm.pdf
SSM6680GMN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM6680GM acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 11mis suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 11.5AD The SSM6680M is supplied in an RoHS-compliantPb-free; RoHS-c
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
