Справочник MOSFET. SSM6J216FE

 

SSM6J216FE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM6J216FE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: ES6
 

 Аналог (замена) для SSM6J216FE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J216FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba
 ssm6j216fe.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J216FEMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)SSM6J216FESSM6J216FESSM6J216FESSM6J216FE1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 88.1 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 m (max) (@VGS

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm6j213fe.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J213FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM6J213FE Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5-V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 250 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 178 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 133 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 103 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:226K  toshiba
 ssm6j215fe.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J215FEMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)SSM6J215FESSM6J215FESSM6J215FESSM6J215FE1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 154 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 104 m (max) (@VGS =

 7.3. Size:157K  toshiba
 ssm6j21tu.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J21TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS) SSM6J21TU High Current Switching Applications Unit: mm Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance: Ron = 88 m (max) (@VGS = -2.5 V) Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -12 VGate-Source voltage VGSS 12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM60T03GS , SSM630GP , SSM6618M , SSM6679GM , SSM6680GM , SSM6923O , SSM6G18NU , SSM6H19NU , IRF630 , SSM6J414TU , SSM6J505NU , SSM6J507NU , SSM6J512NU , SSM6J771G , SSM6K217FE , SSM6K504NU , SSM6K781G .

History: 2SK631 | TPC8030

 

 
Back to Top

 


 
.