SSM6J216FE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM6J216FE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: ES6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM6J216FE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J216FE даташит

 ..1. Size:215K  toshiba
 ssm6j216fe.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J216FE MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) SSM6J216FE SSM6J216FE SSM6J216FE SSM6J216FE 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 88.1 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 m (max) (@VGS

 7.1. Size:202K  toshiba
 ssm6j213fe.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J213FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J213FE Power Management Switch Applications Unit mm 1.5-V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 250 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 178 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 133 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 103 m (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:226K  toshiba
 ssm6j215fe.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J215FE MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) SSM6J215FE SSM6J215FE SSM6J215FE SSM6J215FE 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 154 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 104 m (max) (@VGS =

 7.3. Size:157K  toshiba
 ssm6j21tu.pdf pdf_icon

SSM6J216FE

SSM6J21TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J21TU High Current Switching Applications Unit mm Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance Ron = 88 m (max) (@VGS = -2.5 V) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS -12 V Gate-Source voltage VGSS 12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM60T03GS, SSM630GP, SSM6618M, SSM6679GM, SSM6680GM, SSM6923O, SSM6G18NU, SSM6H19NU, IRF640N, SSM6J414TU, SSM6J505NU, SSM6J507NU, SSM6J512NU, SSM6J771G, SSM6K217FE, SSM6K504NU, SSM6K781G