Справочник MOSFET. SSM6J414TU

 

SSM6J414TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM6J414TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: UF6
 

 Аналог (замена) для SSM6J414TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J414TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba
ssm6j414tu.pdfpdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J414TUMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)SSM6J414TUSSM6J414TUSSM6J414TUSSM6J414TU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 54 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 36 m (max) (@VGS = -

 7.1. Size:217K  toshiba
ssm6j410tu.pdfpdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J410TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM6J410TU Power Management Switch Applications Unit: mm High-Speed Switching Applications 4-V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 393m (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 216m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-Sou

 7.2. Size:205K  toshiba
ssm6j412tu.pdfpdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J412TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM6J412TU Power Management Switch Applications Unit: mm2.10.1 1.5-V drive1.70.1 Low ON-resistance: RDS(ON) = 99.6 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1 6RDS(ON) = 42.7 m (max) (@VGS = -4.5 V) 5 2A

 8.1. Size:197K  toshiba
ssm6j402tu.pdfpdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J402TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM6J402TU DC/DC Converter Application High-Speed Switching Applications unit: mm2.10.1 4.0 V drive 1.70.1 Low ON-resistance : RDS(ON) = 225m max (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 117m max (@VGS = -10 V) 1 62 5Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 3 4Characteristic Symbol Rating

Другие MOSFET... SSM630GP , SSM6618M , SSM6679GM , SSM6680GM , SSM6923O , SSM6G18NU , SSM6H19NU , SSM6J216FE , 10N60 , SSM6J505NU , SSM6J507NU , SSM6J512NU , SSM6J771G , SSM6K217FE , SSM6K504NU , SSM6K781G , SSM6N55NU .

History: ME2301DN | HSU4N65 | IRF614SPBF | WNM2021 | 7N80L-TQ2-R | IRFS143 | SWF8N65DB

 

 
Back to Top

 


 
.