SSM6J414TU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM6J414TU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm

Тип корпуса: UF6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM6J414TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6J414TU даташит

 ..1. Size:215K  toshiba
 ssm6j414tu.pdf pdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J414TU MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) SSM6J414TU SSM6J414TU SSM6J414TU SSM6J414TU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 54 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 36 m (max) (@VGS = -

 7.1. Size:217K  toshiba
 ssm6j410tu.pdf pdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J410TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J410TU Power Management Switch Applications Unit mm High-Speed Switching Applications 4-V drive Low ON-resistance RDS(ON) = 393m (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 216m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Sou

 7.2. Size:205K  toshiba
 ssm6j412tu.pdf pdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J412TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6J412TU Power Management Switch Applications Unit mm 2.1 0.1 1.5-V drive 1.7 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 99.6 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 m (max) (@VGS = -2.5 V) 1 6 RDS(ON) = 42.7 m (max) (@VGS = -4.5 V) 5 2 A

 8.1. Size:197K  toshiba
 ssm6j402tu.pdf pdf_icon

SSM6J414TU

SSM6J402TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM6J402TU DC/DC Converter Application High-Speed Switching Applications unit mm 2.1 0.1 4.0 V drive 1.7 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 225m max (@VGS = -4 V) RDS(ON) = 117m max (@VGS = -10 V) 1 6 2 5 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 3 4 Characteristic Symbol Rating

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM630GP, SSM6618M, SSM6679GM, SSM6680GM, SSM6923O, SSM6G18NU, SSM6H19NU, SSM6J216FE, IRFP260N, SSM6J505NU, SSM6J507NU, SSM6J512NU, SSM6J771G, SSM6K217FE, SSM6K504NU, SSM6K781G, SSM6N55NU