SSM6N55NU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM6N55NU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: UDFN6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM6N55NU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6N55NU даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 ssm6n55nu.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N55NU MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM6N55NU SSM6N55NU SSM6N55NU SSM6N55NU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4.5V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 46 m (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 m (max) (@VGS

 8.1. Size:199K  toshiba
 ssm6n56fe.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N56FE MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM6N56FE SSM6N56FE SSM6N56FE SSM6N56FE 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V, ID = 800 mA) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V, I

 8.2. Size:229K  toshiba
 ssm6n58nu.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N58NU MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM6N58NU SSM6N58NU SSM6N58NU SSM6N58NU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 84 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 117 m (max) (@V

 8.3. Size:229K  toshiba
 ssm6n57nu.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N57NU MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM6N57NU SSM6N57NU SSM6N57NU SSM6N57NU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.8 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 39.1 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 53 m (max) (@

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6J414TU, SSM6J505NU, SSM6J507NU, SSM6J512NU, SSM6J771G, SSM6K217FE, SSM6K504NU, SSM6K781G, P55NF06, SSM6N56FE, SSM6N57NU, SSM6N58NU, SSM6N7002CFU, SSM6N7002KFU, SSM7002DGU, SSM7002EGU, SSM7002KGEN