Справочник MOSFET. SSM6N55NU

 

SSM6N55NU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM6N55NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6
 

 Аналог (замена) для SSM6N55NU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6N55NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 ssm6n55nu.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N55NUMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM6N55NUSSM6N55NUSSM6N55NUSSM6N55NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 4.5V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 46 m (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 m (max) (@VGS

 8.1. Size:199K  toshiba
 ssm6n56fe.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N56FEMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM6N56FESSM6N56FESSM6N56FESSM6N56FE1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V, ID = 800 mA) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V, I

 8.2. Size:229K  toshiba
 ssm6n58nu.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N58NUMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM6N58NUSSM6N58NUSSM6N58NUSSM6N58NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.8-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 84 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 117 m (max) (@V

 8.3. Size:229K  toshiba
 ssm6n57nu.pdf pdf_icon

SSM6N55NU

SSM6N57NUMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM6N57NUSSM6N57NUSSM6N57NUSSM6N57NU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.8 V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 39.1 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 53 m (max) (@

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM6J414TU , SSM6J505NU , SSM6J507NU , SSM6J512NU , SSM6J771G , SSM6K217FE , SSM6K504NU , SSM6K781G , IRFB4115 , SSM6N56FE , SSM6N57NU , SSM6N58NU , SSM6N7002CFU , SSM6N7002KFU , SSM7002DGU , SSM7002EGU , SSM7002KGEN .

History: CEU12P10 | MTE65N15FP | NDP4050L | MTE1K8N25KM3

 

 
Back to Top

 


 
.