SSM6N7002KFU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM6N7002KFU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.285 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: US6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM6N7002KFU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6N7002KFU даташит

 ..1. Size:219K  toshiba
 ssm6n7002kfu.pdf pdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002KFU MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) SSM6N7002KFU SSM6N7002KFU SSM6N7002KFU SSM6N7002KFU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) ESD(HBM) level 2 kV (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.05 (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 (typ.) (@VGS

 5.1. Size:210K  toshiba
 ssm6n7002cfu.pdf pdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002CFU MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM6N7002CFU SSM6N7002CFU SSM6N7002CFU SSM6N7002CFU 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Gate-Source diode for protection (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.8 (typ.) (@VGS = 10 V, ID = 100 mA) RDS(ON) = 3.1 (t

 5.2. Size:172K  toshiba
 ssm6n7002fu.pdf pdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N7002FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Small package Low ON resistance Ron = 3.3 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 3.2 (max) (@VGS = 5 V) Ron = 3.0 (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol

 5.3. Size:179K  toshiba
 ssm6n7002bfu.pdf pdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002BFU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) SSM6N7002BFU High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm 2.1 0.1 Small package 1.25 0.1 Low ON-resistance RDS(ON) = 3.3 (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 2.6 (max) (@VGS = 5 V) 1 6 RDS(ON) = 2.1 (max) (@VGS = 10 V) 2 5 Absolute Maximum Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6K217FE, SSM6K504NU, SSM6K781G, SSM6N55NU, SSM6N56FE, SSM6N57NU, SSM6N58NU, SSM6N7002CFU, IRF9540, SSM7002DGU, SSM7002EGU, SSM7002KGEN, SSM70T03GH, SSM70T03GJ, SSM72T02GH, SSM75T10GP, SSM75T10GS