Справочник MOSFET. SSM6N7002KFU

 

SSM6N7002KFU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM6N7002KFU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: US6
 

 Аналог (замена) для SSM6N7002KFU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6N7002KFU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  toshiba
ssm6n7002kfu.pdfpdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002KFUMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)SSM6N7002KFUSSM6N7002KFUSSM6N7002KFUSSM6N7002KFU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) ESD(HBM) level 2 kV(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.05 (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 (typ.) (@VGS

 5.1. Size:210K  toshiba
ssm6n7002cfu.pdfpdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002CFUMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM6N7002CFUSSM6N7002CFUSSM6N7002CFUSSM6N7002CFU1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Gate-Source diode for protection(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 (typ.) (@VGS = 10 V, ID = 100 mA) RDS(ON) = 3.1 (t

 5.2. Size:172K  toshiba
ssm6n7002fu.pdfpdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N7002FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 3.3 (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 3.2 (max) (@VGS = 5 V) : Ron = 3.0 (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol

 5.3. Size:179K  toshiba
ssm6n7002bfu.pdfpdf_icon

SSM6N7002KFU

SSM6N7002BFU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) SSM6N7002BFU High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm2.10.1 Small package1.250.1 Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3 (max) (@VGS = 4.5 V) : RDS(ON) = 2.6 (max) (@VGS = 5 V) 16: RDS(ON) = 2.1 (max) (@VGS = 10 V) 2 5Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... SSM6K217FE , SSM6K504NU , SSM6K781G , SSM6N55NU , SSM6N56FE , SSM6N57NU , SSM6N58NU , SSM6N7002CFU , K3569 , SSM7002DGU , SSM7002EGU , SSM7002KGEN , SSM70T03GH , SSM70T03GJ , SSM72T02GH , SSM75T10GP , SSM75T10GS .

History: GSM3814W | SWD7N65K | IRF7507

 

 
Back to Top

 


 
.