SSM9435K
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM9435K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 6
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 9.2
nC
trⓘ -
Время нарастания: 8
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 222
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05
Ohm
Тип корпуса:
SOT-223
Аналог (замена) для SSM9435K
SSM9435K
Datasheet (PDF)
..1. Size:200K silicon standard
ssm9435k.pdf SSM9435KP-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BV -30VDSSDLow on-resistance R 50mDS(ON)SFast switching ID -6ADGSOT-223DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,G low on-resistance and cost-effectiveness.SAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Ratin
7.1. Size:522K silicon standard
ssm9435gm.pdf SSM9435GMP-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM9435GM acheives fast switching performanceBVDSS -30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 50mis suitable for low voltage applications such as batterymanagement and general high-side switch circuits.I -5.3AD The SSM9435GM is supplied in an RoHS-compliantPb-free;
7.2. Size:293K silicon standard
ssm9435gh ssm9435gj.pdf SSM9435GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS -30VDSimple drive requirement R 50mDS(ON)Fast switching ID -20AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM9435H is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC
7.3. Size:842K cn vbsemi
ssm9435gm.pdf SSM9435GMwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.