SSM9915GJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM9915GJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 49.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-251
SSM9915GJ Datasheet (PDF)
ssm9915gh ssm9915gj.pdf
SSM9915H,JN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEPOWER MOSFETLow on-resistance BV 20VD DSSCapable of 2.5V gate drive R 50mDS(ON)Low drive current I 20ADGSimple drive requirementSDescriptionGPower MOSFETs from Silicon Standard provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effective
ssm9915k.pdf
SSM9915KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BVDSS 20VDLower gate charge RDS(ON) 50mFast switching characteristic ID 6.2ASDSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,G low on-resistance and cost-effectiveness.SAbsolute Maximum RatingsSymbol Para
ssm9918gh ssm9918gj.pdf
SSM9918H,JN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEPOWER MOSFETLow on-resistance BV 20VDSSDCapable of 2.5V gate drive R 14mDS(ON)Low drive current I 45ADGSurface mount packageSDescriptionGPower MOSFETs from Silicon Standard provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effectivene
ssm9916gh ssm9916gj.pdf
SSM9916H,JN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BV 18VD DSSCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25mLow drive current ID 35AGSimple drive requirementSDescriptionGPower MOSFETs from Silicon Standard provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effectiveness
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918