SSM9918GJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM9918GJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM9918GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM9918GJ даташит

 ..1. Size:301K  silicon standard
 ssm9918gh ssm9918gj.pdf pdf_icon

SSM9918GJ

SSM9918H,J N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BV 20V DSS D Capable of 2.5V gate drive R 14m DS(ON) Low drive current I 45A D G Surface mount package S Description G Power MOSFETs from Silicon Standard provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectivene

 8.1. Size:300K  silicon standard
 ssm9915gh ssm9915gj.pdf pdf_icon

SSM9918GJ

SSM9915H,J N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BV 20V D DSS Capable of 2.5V gate drive R 50m DS(ON) Low drive current I 20A D G Simple drive requirement S Description G Power MOSFETs from Silicon Standard provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effective

 8.2. Size:206K  silicon standard
 ssm9915k.pdf pdf_icon

SSM9918GJ

SSM9915K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple drive requirement BVDSS 20V D Lower gate charge RDS(ON) 50m Fast switching characteristic ID 6.2A S D SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G low on-resistance and cost-effectiveness. S Absolute Maximum Ratings Symbol Para

 8.3. Size:297K  silicon standard
 ssm9916gh ssm9916gj.pdf pdf_icon

SSM9918GJ

SSM9916H,J N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BV 18V D DSS Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A G Simple drive requirement S Description G Power MOSFETs from Silicon Standard provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM9620M, SSM9685M, SSM9915GH, SSM9915GJ, SSM9915K, SSM9916GH, SSM9916GJ, SSM9918GH, STF13NM60N, SSM9922GEO, SSM9926EM, SSM9926GEO, SSM9926GM, SSM9926O, SSM9926TGO, SSM9928GEO, SSM9928O