Справочник MOSFET. SSN1N45BTA

 

SSN1N45BTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSN1N45BTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 50 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
   Время нарастания (tr): 21 ns
   Выходная емкость (Cd): 29 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для SSN1N45BTA

 

 

SSN1N45BTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf

SSN1N45BTA SSN1N45BTA

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

 6.1. Size:667K  fairchild semi
 ssn1n45b.pdf

SSN1N45BTA SSN1N45BTA

SSN1N45B450V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top