SSN1N45BTA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSN1N45BTA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.25 Ohm

Тип корпуса: TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSN1N45BTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSN1N45BTA даташит

 ..1. Size:666K  fairchild semi
 ssn1n45bbu ssn1n45bta.pdf pdf_icon

SSN1N45BTA

SSN1N45B 450V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

 6.1. Size:667K  fairchild semi
 ssn1n45b.pdf pdf_icon

SSN1N45BTA

SSN1N45B 450V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to 100% avalanche tes

Другие IGBT... SSM9977GM, SSM9980GH, SSM9980GJ, SSM9980M, SSM9985GM, SSM9987GH, SSM9987GM, SSN1N45BBU, IRF640, SSP3N90, SSP45N20B, SSP4N60B, SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM