SSR2N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSR2N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSR2N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSR2N60B даташит

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 ssr2n60b ssu2n60b.pdf pdf_icon

SSR2N60B

November 2001 SSR2N60B / SSU2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.8A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:201K  1
 ssu2n60a ssr2n60a.pdf pdf_icon

SSR2N60B

 7.2. Size:505K  samsung
 ssr2n60a.pdf pdf_icon

SSR2N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) 3.892 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charac

Другие IGBT... SSP3N90, SSP45N20B, SSP4N60B, SSP4N80, SSP5N90, SSR1N45, SSR1N60B, SSR1N60BTM, 10N60, SSRK7002LT1G, SSS4N60B, SSSF11NS65UF, SST174, SST175, SST176, SST177, SST4391