SSU1N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSU1N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSU1N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU1N60B даташит

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSU1N60B

November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N60B

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N60B

 9.2. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N60B

April 2014 SSU1N50B 520V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SST4392, SST4393, SST440, SST441, SST4416, SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, AO3401, SSU2N60B, SSW2N60B, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W