SSW2N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSW2N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSW2N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW2N60B даташит

 ..1. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N60B

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 ..2. Size:648K  fairchild semi
 ssw2n60b ssi2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N60B

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.1. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N60B

 7.2. Size:509K  samsung
 ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V 2 Lower RDS(ON) 3.892 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Chara

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SST440, SST441, SST4416, SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, SSU2N60B, IRFP260, SSW4N60B, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS, AFC3346W