SSW4N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSW4N60B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для SSW4N60B
SSW4N60B Datasheet (PDF)
ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to
ssw4n60a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V2 Lower RDS(ON) : 2.037 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara
Другие MOSFET... SST441 , SST4416 , SSTSD201 , SSTSD203 , SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , 2SK3568 , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 , AFC1563 , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503