SSW4N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSW4N60B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSW4N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4N60B даташит

 ..1. Size:644K  fairchild semi
 ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf pdf_icon

SSW4N60B

November 2001 SSW4N60B / SSI4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:217K  1
 ssi4n60a ssw4n60a.pdf pdf_icon

SSW4N60B

 7.2. Size:503K  samsung
 ssw4n60a.pdf pdf_icon

SSW4N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V 2 Lower RDS(ON) 2.037 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Chara

 9.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf pdf_icon

SSW4N60B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SST441, SST4416, SSTSD201, SSTSD203, SSU1N45, SSU1N60B, SSU2N60B, SSW2N60B, 4435, AF15N50, AFC1016, AFC1539, AFC1563, AFC2519W, AFC3326WS, AFC3346W, AFC3366W