Справочник MOSFET. AFC1563

 

AFC1563 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFC1563
   Маркировка: 63*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.06 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для AFC1563

 

 

AFC1563 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1101K  alfa-mos
afc1563.pdf

AFC1563 AFC1563

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

 9.1. Size:1025K  alfa-mos
afc1539.pdf

AFC1563 AFC1563

AFC1539 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1539, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.7A,RDS(ON)=900m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=1000m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top