Справочник MOSFET. AFC1563

 

AFC1563 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC1563
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для AFC1563

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC1563 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1101K  alfa-mos
 afc1563.pdf pdf_icon

AFC1563

AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

 9.1. Size:1025K  alfa-mos
 afc1539.pdf pdf_icon

AFC1563

AFC1539 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1539, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.7A,RDS(ON)=900m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=1000m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma

Другие MOSFET... SSU1N45 , SSU1N60B , SSU2N60B , SSW2N60B , SSW4N60B , AF15N50 , AFC1016 , AFC1539 , TK10A60D , AFC2519W , AFC3326WS , AFC3346W , AFC3366W , AFC4510S , AFC4516 , AFC4516W , AFC4539S .

 

 
Back to Top

 


 
.