AFC1563 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFC1563
Маркировка: 63*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.06 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
AFC1563 Datasheet (PDF)
afc1563.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AFC1563 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1563, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=
afc1539.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AFC1539 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC1539, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.7A,RDS(ON)=900m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A,RDS(ON)=1000m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power ma
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .