AFC4599 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC4599  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC4599

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC4599 даташит

 ..1. Size:988K  alfa-mos
 afc4599.pdf pdf_icon

AFC4599

AFC4599 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4599, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/8A,RDS(ON)= 22m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)= 36m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 9.1. Size:885K  alfa-mos
 afc4539ws.pdf pdf_icon

AFC4599

AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4539WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.8A,RDS(ON)=36m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=46m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power

 9.2. Size:802K  alfa-mos
 afc4510s.pdf pdf_icon

AFC4599

AFC4510S Alfa-MOS 100V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4510S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.0A,RDS(ON)=140m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/2.0A,RDS(ON)=150m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage p

 9.3. Size:810K  alfa-mos
 afc4516w.pdf pdf_icon

AFC4599

AFC4516W Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4516W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=15m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S, AFC4516, AFC4516W, AFC4539S, AFC4539WS, AFC4559, STP80NF70, AFC4604W, AFC5521, AFC5604, AFC5606, AFC6332, AFC6601, AFC6602, AFC6604