Справочник MOSFET. AFC6332

 

AFC6332 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFC6332
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для AFC6332

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC6332 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1101K  alfa-mos
 afc6332.pdf pdf_icon

AFC6332

AFC6332 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6332, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m@VGS=

Другие MOSFET... AFC4539S , AFC4539WS , AFC4559 , AFC4599 , AFC4604W , AFC5521 , AFC5604 , AFC5606 , 10N65 , AFC6601 , AFC6602 , AFC6604 , AFC8562 , AFN02N60T220FT , AFN02N60T220T , AFN02N60T251T , AFN04N60T220FT .

History: SMIRF5N65T2TL | RZE002P02 | TPCS8204 | IXTH22N50P | SQJ858EP | NTF5P03

 

 
Back to Top

 


 
.