AFC6332 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC6332  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC6332

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC6332 даташит

 ..1. Size:1101K  alfa-mos
 afc6332.pdf pdf_icon

AFC6332

AFC6332 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6332, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.0A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.8A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V/0.7A,RDS(ON)=580m @VGS=

Другие IGBT... AFC4539S, AFC4539WS, AFC4559, AFC4599, AFC4604W, AFC5521, AFC5604, AFC5606, 4N60, AFC6601, AFC6602, AFC6604, AFC8562, AFN02N60T220FT, AFN02N60T220T, AFN02N60T251T, AFN04N60T220FT