AFN08N50T220T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFN08N50T220T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 134 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.7 nC
Время нарастания (tr): 59.6 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для AFN08N50T220T
AFN08N50T220T Datasheet (PDF)
..1. Size:453K alfa-mos
afn08n50t220ft afn08n50t220t.pdf
afn08n50t220ft afn08n50t220t.pdf
AFN08N50 Alfa-MOS 500V / 8A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN08N50 is an N-channel enhancement mode Power 500V/4A,RDS(ON)=0.9(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
