AFN08N50T220T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN08N50T220T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN08N50T220T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN08N50T220T даташит

 ..1. Size:453K  alfa-mos
 afn08n50t220ft afn08n50t220t.pdf pdf_icon

AFN08N50T220T

AFN08N50 Alfa-MOS 500V / 8A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN08N50 is an N-channel enhancement mode Power 500V/4A,RDS(ON)=0.9 (MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

Другие IGBT... AFN04N60T220FT, AFN04N60T220T, AFN04N60T251T, AFN06N60T220FT, AFN06N60T251T, AFN07N65T220FT, AFN07N65T220T, AFN08N50T220FT, 8N60, AFN1012, AFN1012E, AFN1024, AFN1024E, AFN1032, AFN1034, AFN1072, AFN10N60T220FT