AFN1012E - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN1012E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN1012E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для AFN1012E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN1012E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 afn1012e.pdf pdf_icon

AFN1012E

AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1012E, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:585K  alfa-mos
 afn1012.pdf pdf_icon

AFN1012E

AFN1012 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1012, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.1. Size:608K  alfa-mos
 afn1024.pdf pdf_icon

AFN1012E

AFN1024 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1024, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

 9.2. Size:560K  alfa-mos
 afn1032.pdf pdf_icon

AFN1012E

AFN1032 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN1032, N-Channel enhancement mode 30V/0.6A,RDS(ON)=440m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/0.5A,RDS(ON)=500m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.4A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN04N60T251T , AFN06N60T220FT , AFN06N60T251T , AFN07N65T220FT , AFN07N65T220T , AFN08N50T220FT , AFN08N50T220T , AFN1012 , 75N75 , AFN1024 , AFN1024E , AFN1032 , AFN1034 , AFN1072 , AFN10N60T220FT , AFN10N60T220T , AFN10N65T220FT .

History: TK11P65W | CMKDM8005 | SSM4232GM

 

 
Back to Top

 


 
.