Справочник MOSFET. AFN2302AS

 

AFN2302AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN2302AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AFN2302AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2302AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  alfa-mos
 afn2302as.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2302AS Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2302AS, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=90m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.0A,RDS(ON)=110m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 7.1. Size:520K  alfa-mos
 afn2302s.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2302S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2302S, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 8.1. Size:721K  alfa-mos
 afn2306ae.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2306AE Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2306AE, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=750m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:476K  alfa-mos
 afn2304s.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2304S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2304S, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.5A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN1501S , AFN1510S , AFN1520 , AFN1530 , AFN1912 , AFN1912E , AFN1932 , AFN2014 , 20N60 , AFN2302S , AFN2304 , AFN2304A , AFN2304AS , AFN2304S , AFN2306A , AFN2306AE , AFN2308 .

History: YJL2312AL

 

 
Back to Top

 


 
.