AFN2302AS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN2302AS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN2302AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2302AS даташит

 ..1. Size:652K  alfa-mos
 afn2302as.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2302AS Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2302AS, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=90m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.0A,RDS(ON)=110m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 7.1. Size:520K  alfa-mos
 afn2302s.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2302S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2302S, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=100m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 8.1. Size:721K  alfa-mos
 afn2306ae.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2306AE Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2306AE, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=750m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:476K  alfa-mos
 afn2304s.pdf pdf_icon

AFN2302AS

AFN2304S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2304S, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.5A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN1501S, AFN1510S, AFN1520, AFN1530, AFN1912, AFN1912E, AFN1932, AFN2014, 20N60, AFN2302S, AFN2304, AFN2304A, AFN2304AS, AFN2304S, AFN2306A, AFN2306AE, AFN2308