AFN2318A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN2318A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN2318A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2318A даташит

 ..1. Size:400K  alfa-mos
 afn2318a.pdf pdf_icon

AFN2318A

AFN2318A Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2318A, N-Channel enhancement mode 40V/2.6A,RDS(ON)= 68m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/2.2A,RDS(ON)= 88m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 7.1. Size:268K  alfa-mos
 afn2318.pdf pdf_icon

AFN2318A

AFN2318 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2318, N-Channel enhancement mode 40V/3.6A,RDS(ON)= 60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/2.8A,RDS(ON)= 80m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:549K  alfa-mos
 afn2312.pdf pdf_icon

AFN2318A

AFN2312 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2312, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=40m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=52m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 8.2. Size:681K  alfa-mos
 afn2312a.pdf pdf_icon

AFN2318A

AFN2312A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2312A, N-Channel enhancement mode 20V/2.8A,RDS(ON)=45m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.2A,RDS(ON)=48m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=64m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN2304S, AFN2306A, AFN2306AE, AFN2308, AFN2308A, AFN2312, AFN2312A, AFN2318, IRFB4227, AFN2324, AFN2324A, AFN2330, AFN2330A, AFN2336A, AFN2354, AFN2376, AFN2604