Справочник MOSFET. AFN2604

 

AFN2604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN2604
   Маркировка: 2604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 110 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для AFN2604

 

 

AFN2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  alfa-mos
 afn2604.pdf

AFN2604 AFN2604

AFN2604 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/12A,RDS(ON)= 40m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top