Справочник MOSFET. AFN2604

 

AFN2604 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN2604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFN2604

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  alfa-mos
 afn2604.pdf pdf_icon

AFN2604

AFN2604 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/12A,RDS(ON)= 40m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... AFN2318A , AFN2324 , AFN2324A , AFN2330 , AFN2330A , AFN2336A , AFN2354 , AFN2376 , STP75NF75 , AFN2912W , AFN3006S , AFN3009S , AFN3015S , AFN3016S , AFN3019S , AFN3025S , AFN3030 .

History: CES2336 | IXFX250N10P | FQP19N10L | IRLR8203PBF | NTMFS4925NE | HM45N02D | HSS3409A

 

 
Back to Top

 


 
.