AFN2604 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN2604  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN2604

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2604 даташит

 ..1. Size:832K  alfa-mos
 afn2604.pdf pdf_icon

AFN2604

AFN2604 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2604, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 22m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/12A,RDS(ON)= 40m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие IGBT... AFN2318A, AFN2324, AFN2324A, AFN2330, AFN2330A, AFN2336A, AFN2354, AFN2376, 7N65, AFN2912W, AFN3006S, AFN3009S, AFN3015S, AFN3016S, AFN3019S, AFN3025S, AFN3030