Справочник MOSFET. AFN3015S

 

AFN3015S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN3015S
   Маркировка: 3015S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFN3015S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3015S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  alfa-mos
 afn3015s.pdf pdf_icon

AFN3015S

AFN3015S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3015S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=5.1m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=6.8m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:853K  alfa-mos
 afn3019s.pdf pdf_icon

AFN3015S

AFN3019S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3019S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=9m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=13m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 8.2. Size:824K  alfa-mos
 afn3016s.pdf pdf_icon

AFN3015S

AFN3016S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3016S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=9m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.1. Size:863K  alfa-mos
 afn3006s.pdf pdf_icon

AFN3015S

AFN3006S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3006S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=9m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN2330A , AFN2336A , AFN2354 , AFN2376 , AFN2604 , AFN2912W , AFN3006S , AFN3009S , 2N7000 , AFN3016S , AFN3019S , AFN3025S , AFN3030 , AFN3302W , AFN3306WS , AFN3309WS , AFN3310W .

History: SVG108R5NAMQ

 

 
Back to Top

 


 
.