AFN3019S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3019S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3019S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3019S даташит

 ..1. Size:853K  alfa-mos
 afn3019s.pdf pdf_icon

AFN3019S

AFN3019S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3019S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=9m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=13m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:863K  alfa-mos
 afn3015s.pdf pdf_icon

AFN3019S

AFN3015S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3015S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=5.1m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=6.8m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 8.2. Size:824K  alfa-mos
 afn3016s.pdf pdf_icon

AFN3019S

AFN3016S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3016S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.1. Size:863K  alfa-mos
 afn3006s.pdf pdf_icon

AFN3019S

AFN3006S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3006S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN2354, AFN2376, AFN2604, AFN2912W, AFN3006S, AFN3009S, AFN3015S, AFN3016S, STP75NF75, AFN3025S, AFN3030, AFN3302W, AFN3306WS, AFN3309WS, AFN3310W, AFN3316W, AFN3400