AFN3302W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3302W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3302W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3302W даташит

 ..1. Size:577K  alfa-mos
 afn3302w.pdf pdf_icon

AFN3302W

AFN3302W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3302W, N-Channel enhancement mode 20V/14A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/12A,RDS(ON)=18m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/10A,RDS(ON)=26m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

 8.1. Size:588K  alfa-mos
 afn3309ws.pdf pdf_icon

AFN3302W

AFN3309WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3309WS, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/15A,RDS(ON)=11m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.2. Size:596K  alfa-mos
 afn3306ws.pdf pdf_icon

AFN3302W

AFN3306WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3306WS, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=5.6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/15A,RDS(ON)=7.4m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.1. Size:498K  alfa-mos
 afn3310w.pdf pdf_icon

AFN3302W

AFN3310W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3310W, N-Channel enhancement mode 30V/16A,RDS(ON)=17m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=19m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN2912W, AFN3006S, AFN3009S, AFN3015S, AFN3016S, AFN3019S, AFN3025S, AFN3030, IRF4905, AFN3306WS, AFN3309WS, AFN3310W, AFN3316W, AFN3400, AFN3400A, AFN3400AS, AFN3400S