Справочник MOSFET. AFN3406AS

 

AFN3406AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN3406AS
   Маркировка: 6S*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для AFN3406AS

 

 

AFN3406AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  alfa-mos
 afn3406as.pdf

AFN3406AS AFN3406AS

AFN3406AS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.8A,RDS(ON)=45m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.4A,RDS(ON)=55m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 6.1. Size:710K  alfa-mos
 afn3406a.pdf

AFN3406AS AFN3406AS

AFN3406A Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/1.8A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 7.1. Size:578K  alfa-mos
 afn3406.pdf

AFN3406AS AFN3406AS

AFN3406 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 7.2. Size:578K  alfa-mos
 afn3406s.pdf

AFN3406AS AFN3406AS

AFN3406S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3406S, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=40m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top