AFN4048WS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4048WS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4048WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4048WS даташит

 ..1. Size:583K  alfa-mos
 afn4048ws.pdf pdf_icon

AFN4048WS

AFN4048WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4048WS, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=10m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие IGBT... AFN3484, AFN3484S, AFN3606S, AFN3609S, AFN3630, AFN3684S, AFN3806W, AFN3814W, AO3400A, AFN4102W, AFN4134, AFN4134W, AFN4172S, AFN4172WS, AFN4210, AFN4210W, AFN4214