Справочник MOSFET. AFN4048WS

 

AFN4048WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4048WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4048WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4048WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  alfa-mos
 afn4048ws.pdf pdf_icon

AFN4048WS

AFN4048WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4048WS, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=10m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... AFN3484 , AFN3484S , AFN3606S , AFN3609S , AFN3630 , AFN3684S , AFN3806W , AFN3814W , RU6888R , AFN4102W , AFN4134 , AFN4134W , AFN4172S , AFN4172WS , AFN4210 , AFN4210W , AFN4214 .

History: 2SK3019 | VS3628GA | CSD16322Q5

 

 
Back to Top

 


 
.