AFN4102W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4102W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.158 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4102W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4102W даташит

 ..1. Size:504K  alfa-mos
 afn4102w.pdf pdf_icon

AFN4102W

AFN4102W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4102W, N-Channel enhancement mode 100V/3.8A,RDS(ON)=158m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.0A,RDS(ON)=175m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

 9.1. Size:481K  alfa-mos
 afn4134.pdf pdf_icon

AFN4102W

AFN4134 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:481K  alfa-mos
 afn4134w.pdf pdf_icon

AFN4102W

AFN4134W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4134W, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.3. Size:571K  alfa-mos
 afn4172s.pdf pdf_icon

AFN4102W

AFN4172S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4172S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=12m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/13A,RDS(ON)=15m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN3484S, AFN3606S, AFN3609S, AFN3630, AFN3684S, AFN3806W, AFN3814W, AFN4048WS, IRFB31N20D, AFN4134, AFN4134W, AFN4172S, AFN4172WS, AFN4210, AFN4210W, AFN4214, AFN4214W