Справочник MOSFET. AFN4172S

 

AFN4172S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4172S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4172S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4172S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  alfa-mos
 afn4172s.pdf pdf_icon

AFN4172S

AFN4172S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4172S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=12m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/13A,RDS(ON)=15m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 7.1. Size:571K  alfa-mos
 afn4172ws.pdf pdf_icon

AFN4172S

AFN4172WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4172WS, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=12m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/13A,RDS(ON)=15m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 7.2. Size:2313K  cn vbsemi
 afn4172wss8.pdf pdf_icon

AFN4172S

AFN4172WSS8www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = 10 V 1330 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.011 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switc

 9.1. Size:481K  alfa-mos
 afn4134.pdf pdf_icon

AFN4172S

AFN4134 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4134, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN3630 , AFN3684S , AFN3806W , AFN3814W , AFN4048WS , AFN4102W , AFN4134 , AFN4134W , MMIS60R580P , AFN4172WS , AFN4210 , AFN4210W , AFN4214 , AFN4214W , AFN4228 , AFN4248W , AFN4412 .

History: BSO072N03S | ELM32414LA | CMPDM7002AE | 1N60L-TMS4-T | IPA041N04NG | RJK03E3DNS | AP4002J-HF

 

 
Back to Top

 


 
.