AFN4214W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4214W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4214W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4214W даташит

 ..1. Size:483K  alfa-mos
 afn4214w.pdf pdf_icon

AFN4214W

AFN4214W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 7.1. Size:482K  alfa-mos
 afn4214.pdf pdf_icon

AFN4214W

AFN4214 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:578K  alfa-mos
 afn4210w.pdf pdf_icon

AFN4214W

AFN4210W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4210W, N-Channel enhancement mode 30V/6.8A,RDS(ON)=32m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.6A,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 8.2. Size:577K  alfa-mos
 afn4210.pdf pdf_icon

AFN4214W

AFN4210 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4210, N-Channel enhancement mode 30V/6.8A,RDS(ON)=35m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.6A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN4102W, AFN4134, AFN4134W, AFN4172S, AFN4172WS, AFN4210, AFN4210W, AFN4214, IRF9640, AFN4228, AFN4248W, AFN4412, AFN4412W, AFN4422, AFN4424, AFN4424W, AFN4440