Справочник MOSFET. AFN4214W

 

AFN4214W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN4214W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P

 Аналог (замена) для AFN4214W

 

 

AFN4214W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  alfa-mos
 afn4214w.pdf

AFN4214W AFN4214W

AFN4214W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 7.1. Size:482K  alfa-mos
 afn4214.pdf

AFN4214W AFN4214W

AFN4214 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:578K  alfa-mos
 afn4210w.pdf

AFN4214W AFN4214W

AFN4210W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4210W, N-Channel enhancement mode 30V/6.8A,RDS(ON)=32m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.6A,RDS(ON)=40m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 8.2. Size:577K  alfa-mos
 afn4210.pdf

AFN4214W AFN4214W

AFN4210 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4210, N-Channel enhancement mode 30V/6.8A,RDS(ON)=35m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.6A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top